Samsung e Micron hanno annunciato che entro il 2013 saranno disponibile memoria di tipo Hyper Cube, le aziende in questione stanno già lavorando a questa soluzione e prevedono il completamento dei lavori e test entro e non oltre la fine del 2012.
I prodotti HMC entro 1 anno dovrebbero arrivare sul mercato già con le nuove soluzioni, questo è quanto ha dichiarato Jim Elliott, vice presidente del marketing divisione memoria di Samsung in USA. La divisione sudcoreana è molto fiduciosa in questo tipo di soluzione tanto che ha deciso di lavorare a stretto contatto con molte compagnie tra cui Micron, Altera, Open Silicon e Xilinx.
La memoria di nuova generazione si basa su un chip di controllo che si occupa di gestire i dati, promette prestazioni tali da ridurre il consumo ma allo stesso tempo essere efficienti. Secondo quanto ha dichiarato la nota compagnia, HMC sarà in grado di offrire prodotti con prestazioni di 15 volte superiori alle attuali DDR3 ma con consumi ridotti del 70%. Attualmente Micron ha realizzato un prototipo che è riuscito a raggiungere 128 Gb/s molto più alto dei 12,8 Gb/s delle attuali DDR3.